辉钼，一种单分子层材料，因其制造半导体的独特性备受关注。它能够用于制造更小、能效更高的电子芯片，在纳米电子设备领域展现出了比传统硅材料或富勒烯更显著的优势。在自然界中，辉钼的含量相当丰富，常被用作合金钢或润滑油添加剂的成分，然而在电子学领域的应用研究相对较少。辉钼作为一种二维材料，其厚度极薄，非常适合应用于纳米技术。在制造微型晶体管、发光二极管（LEDs）和太阳能电池等方面，它展现出巨大的潜力。相较于硅材料，辉钼的一个明显优势在于其体积更小。辉钼单分子层为二维结构，而硅则为三维结构。在一张0.65纳米厚的辉钼薄膜上，电子的运动能力与两纳米厚的硅薄膜相当。然而，目前将硅薄膜制作得如此薄仍存在技术挑战。另一个显著优势在于辉钼的能耗比硅更低。在固态物理学中，能带理论解释了特定材料中电子的能量状态。在半导体中，自由电子存在于能带之间，形成所谓的“带隙”。如果带隙适中，某些电子能够跳过带隙，从而更有效地控制材料的电子行为，使开关电路更容易操作。辉钼单分子层内部天然具有较大的带隙，尽管其电子流动性较差，但通过使用氧化铪介质栅门，可在室温下单层辉钼的运动性大幅提高，达到富勒烯纳米带的水平。辉钼直接具有带隙的特性，使得其在制造间带通道场效应晶体管时表现出色，在稳定状态下耗能比传统硅晶体管小10万倍。此外，在光电子学和能量捕获应用领域，单层辉钼与富勒烯的结合使用能够形成互补优势，共同提升应用效果。
